降低功率晶体管导通电阻的方法
基本信息
| 申请号 | CN201410843907.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104538308A | 公开（公告）日 | 2015-04-22 |
| 申请公布号 | CN104538308A | 申请公布日 | 2015-04-22 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 廖奇泊;陈俊峰;周雯 | 申请（专利权）人 | 厦门讯扬电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海汉声知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭国中 |
| 地址 | 200233 上海市徐汇区虹漕路461号56幢8层E室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种降低功率晶体管导通电阻的方法，其包括以下步骤：步骤一，多晶硅沉积，以作为闸极控制导电层；步骤二，多晶硅曝光，显影及蚀刻以将闸极的设计形貌、图案定义完成；步骤三，多晶硅薄氧化，以形成保护膜并且消除蚀刻过程中所造成的伤害；步骤四，氧化层蚀刻，控制蚀刻厚度为1200埃，以作为源极离子植入硅衬底的表面保护；步骤五，源极离子植入，以定义源极并提供足够的掺杂浓度。本发明可以提供一个均匀的导通电阻，消除因局部高电阻区域造成组件可靠度的问题。 |
