半导体制程中铝硅接面的实时监测方法
基本信息
| 申请号 | CN201410709841.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104465442B | 公开（公告）日 | 2017-05-24 |
| 申请公布号 | CN104465442B | 申请公布日 | 2017-05-24 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 廖奇泊;陈俊峰;周雯 | 申请（专利权）人 | 厦门讯扬电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海汉声知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭国中 |
| 地址 | 361100 福建省厦门市同安工业集中区同安园268-269号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体制程中铝硅接面的实时监测方法，包括以下步骤：步骤一，在衬底上依次形成绝缘层、氧化层、金属层，在金属层上形成第一护层；步骤二，在第一护层上形成第二护层；步骤三，利用遮光罩进行显影并蚀刻一个凹槽，凹槽穿过第一护层、第二护层后延伸到金属层中；步骤四，根据第一护层和金属层之间的连接面的表面情况识别出制程、机台是否正常。本发明可以在半导体制程中及时发现铝硅接面异常，降低成本和因工艺异常所造成的损失。 |
