改善SiC热氧化后的界面态的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201510091817.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104716045A | 公开（公告）日 | 2015-06-17 |
| 申请公布号 | CN104716045A | 申请公布日 | 2015-06-17 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 廖奇泊;胡建国;周雯 | 申请（专利权）人 | 厦门讯扬电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海汉声知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭国中 |
| 地址 | 200233 上海市徐汇区虹漕路461号56幢8层E室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种改善SiC热氧化后的界面态的制造方法，包括以下步骤：步骤一，定义硅晶圆底材MOSFET工艺制程；步骤二，定义植入了低温H2或N2/H2退火工艺方法的硅晶圆底材MOSFET工艺制程用于碳化硅底材MOSFET工艺制程。本发明使SiC/SiO2界面态达到相当于Si/SiO2界面态密度，进而改善并提高SiC_MOSFET器件应用性能。 |
