一种以单晶碳化硅为基底的Ti-Cu-Ni多层膜及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种以单晶碳化硅为基底的Ti-Cu-Ni多层膜及其制备方法

基本信息

申请号	CN202110318652.X	申请日	-
公开（公告）号	CN114318234A	公开（公告）日	2022-04-12
申请公布号	CN114318234A	申请公布日	2022-04-12
分类号	C23C14/18（2006.01）I;C23C14/35（2006.01）I	分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人	潘远志;邓敏航;马凌志	申请（专利权）人	苏州博志金钻科技有限责任公司
代理机构	北京化育知识产权代理有限公司	代理人	秦丽
地址	215000江苏省苏州市高新区长亭路8号大新科技园3幢二楼
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种以单晶碳化硅为基底的Ti‑Cu‑Ni多层膜及其制备方法，包括单晶碳化硅基板、Ti打底层、Ni金属层、Cu金属层、Au金属层、Pt金属层和Ausn焊接层，单晶碳化硅基板顶部直流溅射有Ti打底层，且Ti打底层顶部直流溅射有Ni金属层，Ni金属层顶部直流溅射有Cu金属层，本发明通过调节溅射时间、溅射功率，使各层厚度可以人为调控，有利于提升单晶碳化硅基底的导电性和导热性，提升了焊接性能，同时单晶碳化硅基底与磁场方向成30‑60°，结合单晶碳化硅基底的旋转，保证了单晶碳化硅基底整体镀膜的均匀性，同时利用大溅射功率在原镀层上形成大量弥散的形核点，然后利用低的溅射功率，保证了最外侧镀层的致密性和粘附力，相比于同类型产品导热性提升20％。