一种银钽复合材料构建的有序多孔阵列及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种银钽复合材料构建的有序多孔阵列及其制备方法

基本信息

申请号	CN201810797632.3	申请日	-
公开（公告）号	CN109161849B	公开（公告）日	2019-10-11
申请公布号	CN109161849B	申请公布日	2019-10-11
分类号	C23C14/16;C23C14/35;C23C14/54	分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人	宋忠孝;陈东圳;井津域;黄剑;杨波;钱旦	申请（专利权）人	苏州博志金钻科技有限责任公司
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	姚咏华
地址	215000 江苏省苏州市高新区长亭路8号大新科技园3幢二楼
法律状态	-

摘要

本发明提供一种银钽复合材料构建的有序多孔阵列及其制备方法，采用磁控溅射沉积银、钽复合薄膜，将清洗干净的单晶硅片真空下并沉积铬膜；然后控制电流强度，分别精确调控银、钽元素沉积速率，维持腔室反应压力，持续溅射沉积，钽元素封堵银在沉积过程中形成的间隙，在适当的银、钽元素沉积速率下形成银钽复合材料构建的有序多孔阵列。随着钽沉积速率的增加，薄膜表面孔状阵列会被钽元素大量封堵，进一步形成更为光滑的薄膜表面形貌。本发明所制备的银钽复合材料有序多孔阵列制备过程简单，比表面积大，便于大面积生长，成本低，薄膜表面无有机化合物污染，能广泛应用于SERS传感、金属催化、纳米探针、光电器件、太阳能电池，吸附材料等领域。