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一种拼接式透明导电薄膜电极的制备方法及其制品

基本信息

申请号 CN201811037907.X 申请日 -
公开（公告）号 CN109192393B 公开（公告）日 2021-02-26
申请公布号 CN109192393B 申请公布日 2021-02-26
分类号 H01B13/00(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 刘腾蛟;王珊珊;杨树威;任晓倩;李丽坤;宋飞飞 申请（专利权）人 江苏天贯碳纳米材料有限公司
代理机构 南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 任立;艾中兰
地址 100093 北京市海淀区闵庄路3号清华科技园玉泉慧谷16号楼二层J-6
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开一种拼接式透明导电薄膜电极，其特征在于，所述拼接式透明导电薄膜电极从上到下依次设置：薄膜电极层、胶层、基底层；所述薄膜电极层是由若干片透明导电薄膜拼接所形成，相邻透明导电薄膜之间的拼接缝隙宽度小于2mm，拼接缝隙中填充有导电浆料，使得透明导电薄膜之间能够完全达到电导通。本发明在不改变现有导电薄膜的制备工艺的情况下，通过对薄膜电极的拼接，使薄膜面积能够进一步扩大，并且其制备工艺简单，能够实现大规模量产。