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一种半导体硅片手动酸腐蚀装置

基本信息

申请号	CN201420268828.0	申请日	-
公开（公告）号	CN203941888U	公开（公告）日	2014-11-12
申请公布号	CN203941888U	申请公布日	2014-11-12
分类号	H01L21/67(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	孙智武;陈卫群;寇文杰	申请（专利权）人	洛阳单晶硅集团有限责任公司
代理机构	洛阳明律专利代理事务所	代理人	洛阳单晶硅有限责任公司
地址	471009 河南省洛阳市西工区九都路77号
法律状态	-

摘要

一种半导体硅片手动酸腐蚀装置，用于采用化学方法去除硅片表面在切片、磨片等机加过程中产生的损伤层和油污，获得洁净光亮、几何参数完善的腐蚀硅片。本装置的腐蚀槽（1）分隔成硅片腐蚀区（2）、热交换区（6）、循环区（9）、循环排气区（11）即相互独立又相互连通的四个区，混酸在腐蚀槽（1）内部循环流动。待腐蚀硅片放在腐蚀滚柱（14）的凹槽15中，驱动装置（16）驱动两根腐蚀滚柱（14）转动。混酸在压空的驱动下，从热交换区（6）到循环区（9）、循环排气区（11）再到硅片腐蚀区（2）。硅片全部浸没到硅片腐蚀区（2）的混酸内发生化学反应，通过调整混酸供应管（7）的流量、压空进气管（10）的流量和压力、冷却水管（8）的流量和温度，可有效控制硅片反应温度、反应速度、腐蚀去除量的控制。