一种III族氮化物纳米线柔性发光二极管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010933632.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112216772A | 公开（公告）日 | 2021-01-12 |
| 申请公布号 | CN112216772A | 申请公布日 | 2021-01-12 |
| 分类号 | H01L33/06;H01L33/40;H01L33/46;H01L33/00;H01L23/367;H01L23/373 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 朱玲;吴懿平;吕卫文;祝超 | 申请（专利权）人 | 深圳远芯光路科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 深圳远芯光路科技有限公司 |
| 地址 | 518049 广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区凯丰路15号深圳新一代信息技术产业园2栋A座601 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种III族氮化物纳米线柔性发光二极管及其制备方法，所述III族氮化物纳米线发光二极管依次顺序包括PDMS基层、金属反射层、p型接触层、III族氮化物纳米线和顶层金属接触点层，所述III族氮化物纳米线覆盖有抗蚀剂。本发明的III族氮化物纳米线发光二极管用PDMS及金属反射层替代硅作为衬底，提高了III族氮化物纳米线发光二极管的输出功率，同时可提高III族氮化物纳米线发光二极管的可拉伸性。本发明的III族氮化物纳米线发光二极管实现了高亮度无磷LED，具有高稳定的白光发射和高达98的显色指数。 |
