双寄生LTE天线
基本信息
| 申请号 | CN201420631226.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN204179213U | 公开（公告）日 | 2015-02-25 |
| 申请公布号 | CN204179213U | 申请公布日 | 2015-02-25 |
| 分类号 | H01Q1/36(2006.01)I;H01Q5/10(2015.01)I;H01Q5/20(2015.01)I;H01Q5/385(2015.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 牛兴刚;张中俊;江勇 | 申请（专利权）人 | 深圳市信通通讯有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市精英专利事务所 | 代理人 | 任哲夫 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区沙河西路3011号白沙物流公司仓库之二4楼E区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种双寄生LTE天线，一种双寄生LTE天线，它包括第一辐射单元、第二辐射单元、第三辐射单元、第四辐射单元、第五辐射单元、第一寄生单元及第二寄生单元；所述第二辐射单元呈两级台阶形，其较矮的一级台阶的端部连接第一辐射单元，另一级台阶端部连接第三辐射单元。本实用新型的有益效果在于：将天线设计为上述结构，可将天线支持3G通讯频段基础上拓宽至4G频段，从而实现低频824～960MHz，高频1710～2620MHz的通讯需求。 |
