磷酸钴-聚多巴胺-钒酸铋三元复合光电极的制备方法及应用
基本信息
申请号 | CN201910196016.7 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN110042407B | 公开(公告)日 | 2020-12-18 |
申请公布号 | CN110042407B | 申请公布日 | 2020-12-18 |
分类号 | C25B1/04;C25B11/06;C25D9/04;B01J31/36;B01J35/00 | 分类 | 电解或电泳工艺;其所用设备〔4〕; |
发明人 | 白红叶;高杨;范伟强;白亚杰;崔伟成;孙东甜;刘颖 | 申请(专利权)人 | 江阴智产汇知识产权运营有限公司 |
代理机构 | - | 代理人 | - |
地址 | 214400 江苏省无锡市江阴市澄江中路159号D501-3 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明属于光电极纳米材料合成技术领域,涉及复合光电极,尤其涉及一种磷酸钴‑聚多巴胺‑钒酸铋(Co‑Pi/PDA/BiVO4)三元复合光电极的制备方法。本发明首先采用电沉积在FTO表面生长一层均匀BiOI纳米颗粒,经高温煅烧生成钒酸铋;通过化学水浴法在钒酸铋上生长聚多巴胺(PDA),同时以PDA为功能性桥梁引进磷酸钴助催化剂,经化学水浴法将PDA/BiVO4电极浸没于硝酸钴和磷酸钠水溶液,在聚多巴胺上生长磷酸钴助催化剂,制得磷酸钴‑聚多巴胺‑钒酸铋光电极。本发明合成工艺简单,重复性好,所用材料价廉易得,符合环境友好要求,利用简单的电沉积、高温煅烧、化学浴沉积法所制备的Co‑Pi/PDA/BiVO4复合光电极,具有良好的化学稳定性,光电化学性能好,光电转换效率高达27%。 |
