电极引入装置
基本信息
| 申请号 | CN201110261064.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102321877B | 公开（公告）日 | 2013-08-07 |
| 申请公布号 | CN102321877B | 申请公布日 | 2013-08-07 |
| 分类号 | C23C16/50(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 郑建宇;宋晓彬;王广明;桂晓波;杨光;唐亚非 | 申请（专利权）人 | 北京硅元科电微电子技术有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 北京七星华创电子股份有限公司;北京硅元科电微电子技术有限责任公司 |
| 地址 | 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M2号楼2层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及等离子体增强化学气相沉积设备，公开了一种电极引入装置，其包括两个并列设置的电极支架；每个电极支架的一端与一个炉门电极相连，另一端为金属触头，与石墨舟上的电极块相连；还包括穿过炉门的连接杆，其伸入炉门内侧的一端连接石墨舟支撑杆，所述石墨舟支撑杆为至少两根并列的碳化硅棒。本发明中，电极引入装置采用搭接形式，依托电极支架将金属触头直接和炉门电极连接起来，石墨舟上的两个石墨垫块充当两电极块，每个金属触头上，与电极块上凹槽相接触的位置设置有凸起，接触良好，自动化程度高；碳化硅双棒耐温在1000多度，不易变形，提高电极接触的稳定性；机械机构简单，成本低，装配难度降低。 |
