无制冷抗反射InP基量子点/量子阱耦合EML外延片的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111293051.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114188823A | 公开（公告）日 | 2022-03-15 |
| 申请公布号 | CN114188823A | 申请公布日 | 2022-03-15 |
| 分类号 | H01S5/343（2006.01）I;H01S5/12（2021.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王岩;徐鹏飞;罗帅;季海铭 | 申请（专利权）人 | 江苏华兴激光科技有限公司 |
| 代理机构 | 江苏长德知识产权代理有限公司 | 代理人 | 詹朝 |
| 地址 | 221300江苏省徐州市邳州经济开发区辽河西路北侧、华山北路西侧 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 无制冷抗反射InP基量子点/量子阱耦合EML外延片的制备方法，对基于InP衬底的量子点激光器内的量子点层叠区域，增设同由欧姆接触层覆盖的且与量子点层叠区域水平耦合的量子阱电吸收调制区。其为通过分子束外延或金属有机化学气相沉积制备的、采用对接生长方式将量子点分布反馈激光器和量子阱电吸收调制器进行集成生长成的电吸收调制激光器；该电吸收调制激光器将量子点激光器优异的抗反射及高温度稳定性的特点和量子阱电吸收调制器高调制速率的特性结合，实现在无光隔离器、无制冷条件下5‑75℃的稳定工作。制备方法的步骤清晰简单，易操作，制备的电吸收调制激光器效果好，性能稳定，可持续工作，具有很强的实用性和广泛的适用性。 |
