一种1342纳米波长大功率微结构DFB激光器
基本信息
| 申请号 | CN202111293304.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114188819A | 公开（公告）日 | 2022-03-15 |
| 申请公布号 | CN114188819A | 申请公布日 | 2022-03-15 |
| 分类号 | H01S5/12（2021.01）I;H01S5/343（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐鹏飞;王文知;王岩;罗帅;季海铭 | 申请（专利权）人 | 江苏华兴激光科技有限公司 |
| 代理机构 | 江苏长德知识产权代理有限公司 | 代理人 | 詹朝 |
| 地址 | 221300江苏省徐州市邳州经济开发区辽河西路北侧、华山北路西侧 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种1342纳米波长大功率微结构DFB激光器，采用满足1342纳米发射波长需要的量子阱结构，通过微结构与普通分布反馈光栅结合，实现单模工作，进一步引入多层稀释波导结构扩大光功率输出，满足了大功率输出需要，在不增加工艺难度的基础上大幅度提高器件成品率。解决了通常的半导体DFB边发射激光器由于采用均匀光栅周期折射率导引而使得会有双模激射或者单模成品率较低的现象，为了提高单模产出会引入相移，大幅度增加工艺难度和成本的问题，同时解决了常规的DFB结构由于光模式体积所限容易饱和，不利于大功率输出的问题，使得本发明的激光器可面向50G PON硅光应用，具有很强的实用性和广泛的适用性。 |
