一种半导体缺陷分布成像检测装置及检测方法
基本信息
| 申请号 | CN202111237891.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113984787A | 公开（公告）日 | 2022-01-28 |
| 申请公布号 | CN113984787A | 申请公布日 | 2022-01-28 |
| 分类号 | G01N21/95（2006.01）I;G01N21/01（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 王岩;徐鹏飞;罗帅;季海铭 | 申请（专利权）人 | 江苏华兴激光科技有限公司 |
| 代理机构 | 武汉江楚智汇知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 矫娅琳 |
| 地址 | 221327江苏省徐州市邳州经济开发区辽河西路北侧、华山北路西侧 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体缺陷分布成像检测装置及检测方法，其不同之处在于：检测装置包括电流电压源、三维平移台、连续激光光源、凸透镜、分束镜、滤光片和CCD相机；电流电压源用于给半导体光电器件样品施加正向电压或正向电流，以使半导体光电器件样品表面发出光信号；连续激光光源依次经过透镜和分束镜后聚焦至半导体光电器件样品表面，用于使半导体光电器件样品内的缺陷电子态饱和；三维平移台用于调节半导体光电器件样品的位置，使连续激光光源在半导体光电器件样品表面进行完整扫描；半导体光电器件样品的光信号依次经过分束镜和滤光片后投射到CCD相机上。本发明能有效检测半导体光电器件深能级缺陷的位置分布信息。 |
