一种半导体缺陷对荧光寿命影响的检测装置及检测方法
基本信息
| 申请号 | CN202111251520.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113984727A | 公开（公告）日 | 2022-01-28 |
| 申请公布号 | CN113984727A | 申请公布日 | 2022-01-28 |
| 分类号 | G01N21/64（2006.01）I;G01N21/01（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 王岩;徐鹏飞;罗帅;季海铭 | 申请（专利权）人 | 江苏华兴激光科技有限公司 |
| 代理机构 | 武汉江楚智汇知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 矫娅琳 |
| 地址 | 221327江苏省徐州市邳州经济开发区辽河西路北侧、华山北路西侧 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体缺陷对荧光寿命影响的检测装置及检测方法，检测装置的不同之处在于：其包括光发射系统、光分离收集系统和检测系统；光发射系统包括能聚焦至半导体样品表面同一位置的脉冲激光光源和连续激光光源，连续激光光源能聚焦至半导体样品表面以使半导体样品的缺陷电子态饱和，连续激光光源的光子能量可调且其光子能量与半导体样品内的任一深能级缺陷能级与价带的能量间隔相同，脉冲激光光源能聚焦至半导体样品表面以激发半导体样品的光致发光；光分离收集系统用于分离并收集光致发光信号；检测系统用于检测光分离收集系统收集的光致发光信号的荧光寿命。本发明能有效检测半导体缺陷对荧光寿命影响，使用方便。 |
