一种硅基多结太阳电池及其渐变缓冲层
基本信息
| 申请号 | CN202111325702.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114171615A | 公开（公告）日 | 2022-03-11 |
| 申请公布号 | CN114171615A | 申请公布日 | 2022-03-11 |
| 分类号 | H01L31/0352（2006.01）I;H01L31/0336（2006.01）I;H01L31/0687（2012.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐鹏飞;王岩;罗帅;季海铭 | 申请（专利权）人 | 江苏华兴激光科技有限公司 |
| 代理机构 | 武汉江楚智汇知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 邓寅杰 |
| 地址 | 221300江苏省徐州市邳州市经济开发区辽河西路北侧、华山北路西侧 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种硅基多结太阳电池及其渐变缓冲层，渐变缓冲层由石墨烯层和不同组分的III‑V族化合物层交替生长而成，硅基多结太阳电池包括Si衬底，在Si衬底的上表面按照层状叠加结构从下至上依次设置有Si子电池、渐变缓冲层、第一隧道结、AlGaAs子电池、第二隧道结和AlGaInP子电池。本发明硅基多结太阳电池利用III‑V族化合物材料与石墨烯相结合的多层复合结构的渐变缓冲层可消除晶硅衬底上GaAs、AlGaAs、AlGaInP等材料层受到的失配应力，降低材料层缺陷密度，提高电池的光电转换效率。 |
