一种半导体深能级缺陷检测装置及检测方法
基本信息
| 申请号 | CN202111237939.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113970559A | 公开（公告）日 | 2022-01-25 |
| 申请公布号 | CN113970559A | 申请公布日 | 2022-01-25 |
| 分类号 | G01N21/95（2006.01）I;G01N21/63（2006.01）I;G01R27/26（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 王岩;徐鹏飞;罗帅;季海铭 | 申请（专利权）人 | 江苏华兴激光科技有限公司 |
| 代理机构 | 武汉江楚智汇知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 矫娅琳 |
| 地址 | 221327江苏省徐州市邳州经济开发区辽河西路北侧、华山北路西侧 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体深能级缺陷检测装置及检测方法，其不同之处在于：检测装置包括宽光谱光源、单色仪、电子开关、连续激光光源、光纤合束器、透镜、冷阱、电容测试仪和脉冲发生器；脉冲发生器用于给电子开关提供脉冲控制信号；宽光谱光源依次经过单色仪、电子开关、光纤合束器和透镜后聚焦至半导体样品表面，用于激发半导体样品产生光电容信号；连续激光光源依次经过光纤合束器和透镜后聚焦至半导体样品表面，用于使半导体样品的深能级缺陷电子态饱和；冷阱用于放置半导体样品及改变半导体样品的温度；电容测试仪用于测量半导体样品的电容信号。本发明能有效地检测判断缺陷对载流子复合的贡献。 |
