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一种基于GaAs衬底制备InP薄膜的方法

基本信息

申请号	CN202111325697.6	申请日	-
公开（公告）号	CN114134565A	公开（公告）日	2022-03-04
申请公布号	CN114134565A	申请公布日	2022-03-04
分类号	C30B25/18（2006.01）I;C30B29/40（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	徐鹏飞;王岩;罗帅;季海铭	申请（专利权）人	江苏华兴激光科技有限公司
代理机构	武汉江楚智汇知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	邓寅杰
地址	221300江苏省徐州市邳州市经济开发区辽河西路北侧、华山北路西侧
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种基于GaAs衬底制备InP薄膜的方法，包括以下步骤：（1）选择一GaAs衬底；（2）在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；（3）在GaAs缓冲层上制备复合缓冲层，复合缓冲层由石墨烯层和GaxIn1‑xP材料层交替生长形成，最下层为石墨烯层，最上层为GaxIn1‑xP材料层；（4）在复合缓冲层上生长InP薄膜。本发明基于单晶GaAs衬底，采用石墨烯和带有均匀分布纳米柱结构的GaxIn1‑xP材料相结合的复合缓冲层制备InP薄膜，可消除在GaAs衬底上外延生长InP材料层时产生的失配应力，降低材料层缺陷密度，改善InP薄膜的晶体质量。本发明可以基于技术成熟、成本较低的GaAs衬底来制备InP材料，最终实现在GaAs衬底上制备InP光电子器件。