一种颗粒硅直接用于CCZ直拉法制备单晶硅的装置
基本信息
申请号 | CN202121997451.9 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN215856443U | 公开(公告)日 | 2022-02-18 |
申请公布号 | CN215856443U | 申请公布日 | 2022-02-18 |
分类号 | C30B15/00(2006.01)I;C30B15/10(2006.01)I;C30B15/02(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
发明人 | 马新星;王军磊;王艺澄 | 申请(专利权)人 | 包头美科硅能源有限公司 |
代理机构 | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人 | 任立 |
地址 | 014010内蒙古自治区包头市昆都仑区金属深加工园区拓业路1号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型涉及一种颗粒硅直接用于CCZ直拉法制备单晶硅的装置,包括单晶炉及颗粒硅加料装置,单晶炉包括炉体,炉体中设石英坩埚,石英坩埚外设第一加热器,石英坩埚上方设导流筒,炉体内设保温筒,保温筒包括上保温筒及下保温筒,上保温筒上设有石墨大盖,导流筒装配在石墨大盖的通孔内,导流筒内设有水冷屏,下保温筒下设护底压板,炉体的底端设加热电极,炉体内还设有熔料坩埚、物料管道、第二加热器及气固旋风分离器,颗粒硅加料装置包括颗粒硅料筒、石英料管、进气口及出气口,石英料管通过送料管道及阀门与气固旋风分离器连接;通过对正常单晶炉的简单改造实现了颗粒硅在单晶硅行业中的直接加入使用,单晶硅的拉制成本降低,制备方法简单易行。 |
