一种提升直拉工艺单晶硅生长速率及稳定性的冷却系统
基本信息
| 申请号 | CN202122093780.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215856444U | 公开（公告）日 | 2022-02-18 |
| 申请公布号 | CN215856444U | 申请公布日 | 2022-02-18 |
| 分类号 | C30B15/00（2006.01）I;C30B15/20（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I;F25D15/00（2006.01）I;F25D17/02（2006.01）I;F25D29/00（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 何玉玺;王艺澄 | 申请（专利权）人 | 包头美科硅能源有限公司 |
| 代理机构 | 南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 任立 |
| 地址 | 014010内蒙古自治区包头市昆都仑区金属深加工园区拓业路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种提升直拉工艺单晶硅生长速率及稳定性的冷却系统，包括原水箱、纯水箱、冷却塔、冷水机及炉台换热器，原水箱通过过滤器及管路与纯水箱的进口端连接，纯水箱的出口端通过泵及管路与冷却塔的进口端连接，冷却塔的出口端通过泵、电磁三通换向阀及管路连接至冷水机，冷水机与冷却塔之间还设有循环回水管路，冷却塔的出口端通过电磁三通换向阀及管路还连接至炉台换热器，冷水机的出口端通过常开水阀及管路连接到炉台换热器，炉台换热器与冷水机之间也设有循环回水管路；该冷却系统使得冷却水温度波动范围得到控制，冷却水温度下限降低，提升了炉台纵向温度梯度，可有效在原有等径拉速基础上提高等径拉速，也提高单晶硅产量。 |
