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大功率低光衰高抗静电发光二极管

基本信息

申请号	CN201020178603.8	申请日	-
公开（公告）号	CN201673925U	公开（公告）日	2010-12-15
申请公布号	CN201673925U	申请公布日	2010-12-15
分类号	H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	黄少彬;许永志	申请（专利权）人	高安市汉唐高晶光电有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	336000 江西省高安市清高路603号厂房
法律状态	-

摘要

一种大功率低光衰高抗静电发光二极管，该发光二极管由基板(2)、带散热鳍片的铜制支架(3)、硅衬底大功率芯片(1)、金线(4)、荧光材料(6)和硅胶透镜(5)组成。带散热鳍片的铜制支架用锡焊接在铜基板上，硅衬底大功率芯片倒装在带散热鳍片的铜制支架碗杯中央，金线通过焊接连接芯片和电极，芯片上布有荧光胶干燥后的荧光材料，透镜安装在支架的透镜槽中，把芯片罩在半球状透镜中央。由于本实用新型芯片采用硅衬底大功率芯片，加上结构上采用带散热鳍片的铜制支架和铜基板，整个发光二极管的散热效果大大提高，本实用新型可大幅提高原有的大功率LED产品的各项性能，使大功率LED产品可广泛用于室内、外照明，景观装饰，矿山，抢险，军事等领域。