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大功率低光衰高抗静电发光二极管及其制备方法

基本信息

申请号 CN201010162035.7 申请日 -
公开（公告）号 CN101901863A 公开（公告）日 2010-12-01
申请公布号 CN101901863A 申请公布日 2010-12-01
分类号 H01L33/48(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I;H01L33/52(2010.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 黄少彬;许永志 申请（专利权）人 高安市汉唐高晶光电有限公司
代理机构 南昌市平凡知识产权代理事务所 代理人 姚伯川
地址 336000 江西省高安市清高路603号厂房
法律状态 -

摘要

摘要 一种大功率低光衰高抗静电发光二极管及其制备方法，所述发光二极管由铜基板(2)、带散热鳍片的铜制支架(3)、硅衬底大功率倒装芯片(1)、金线(4)、荧光材料(6)和硅胶透镜(5)组成；其制备方法包括：在带散热鳍片的铜制支架碗杯上点胶、固定硅衬底大功率倒装芯片、焊接银线、点荧光胶并烘干、外层包覆硅胶并烘干、将支架底座焊接在基板上。本方法由于采用硅衬底大功率倒装芯片、在带散热鳍片的铜制支架和铜基板等综合工艺措施，较好地解决了大功率发光二极管的散热问题，其光衰也大大降低，达到1000小时零光衰。本发明大功率低光衰高抗静电发光二极管可广泛用于室内、外照明，景观装饰，矿山，抢险，军事等领域。