一种双层孔离子引出和加速装置
基本信息
申请号 | CN201911387938.2 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN111093312B | 公开(公告)日 | 2021-11-16 |
申请公布号 | CN111093312B | 申请公布日 | 2021-11-16 |
分类号 | H05H1/24(2006.01)I;H05H1/54(2006.01)I | 分类 | 其他类目不包含的电技术; |
发明人 | 杨温渊;董烨;周前红;董志伟 | 申请(专利权)人 | 北京应用物理与计算数学研究所 |
代理机构 | 北京安度修典专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人 | 杨方成 |
地址 | 100094北京市海淀区丰豪东路2号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提供一种新型双层孔离子引出和加速系统,该系统为圆柱状结构,包括阴极、第一阳极和第二阳极,整体系统沿圆柱中心轴为旋转对称结构,阴极与第一阳极之间通过第一绝缘介质隔离,第一阳极与第二阳极之间通过第二绝缘介质隔离;从系统的中心剖面来看,阴极围成了等离子体区,等离子体区为矩形,阴极在靠近第一阳极的边界中心处设置有第一引出孔;第一阳极的中心位置处设置有第二引出孔;第一阳极和第二阳极之间形成离子加速区,离子加速区为真空区;等离子体区的离子经第一引出孔和第二引出孔引出,然后经过离子加速区加速后打到第二阳极上。本发明具有显著提高离子源引出离子和到靶离子流强度以及改善到靶离子流时间波形的益处。 |
