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具有斜坡PIA结构的VCSEL芯片及其制备方法

基本信息

申请号 CN202110867616.9 申请日 -
公开（公告）号 CN113314952A 公开（公告）日 2021-08-27
申请公布号 CN113314952A 申请公布日 2021-08-27
分类号 H01S5/183（2006.01）I;H01S5/028（2006.01）I;H01S5/042（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 江蔼庭;赵风春;王青;张杨;李军;尧舜;单杰;王光辉 申请（专利权）人 华芯半导体科技有限公司
代理机构 北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 赵丽婷
地址 100020北京市朝阳区佳汇国际中心B座1107
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了具有斜坡PIA结构的VCSEL芯片及其制备方法，所述方法包括：（1）在GaAs衬底上按照层状结构依次制备NDBR层、MQW层、氧化层、PDBR层、P接触层和SIN膜；（2）采用灰度光刻法在所述SIN膜上制备呈斜坡状的PIA膜；（3）在所述PIA膜上制备P电极，以便得到PAD打线区；（4）制备N电极。本发明通过在PAD打线区设置斜坡PIA膜，不仅可以有效消除寄生电容，有效提高VCSEL芯片的高频特性，同时由于固化后的斜坡PIA具有斜坡，因而具有耐机械冲击的特性，可以有效解决金属爬台易断线的问题和增加后续芯片封装抗机械冲击的能力。