在芯片晶圆表面进行电镀的方法及其应用
基本信息
| 申请号 | CN202110878373.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113337860A | 公开（公告）日 | 2021-09-03 |
| 申请公布号 | CN113337860A | 申请公布日 | 2021-09-03 |
| 分类号 | C25D5/02（2006.01）I;C25D5/10（2006.01）I;C25D7/12（2006.01）I;H01L21/288（2006.01）I;H01S5/042（2006.01）I;C23C14/02（2006.01）I;C23C14/18（2006.01）I;C23C14/34（2006.01）I;C23C28/02（2006.01）I | 分类 | 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕; |
| 发明人 | 江蔼庭;王青;王光辉;张杨;赵风春;顾慧凯 | 申请（专利权）人 | 华芯半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 赵丽婷 |
| 地址 | 100020北京市朝阳区佳汇国际中心B座1107 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种在芯片晶圆表面进行电镀的方法及其应用，方法包括：（1）在芯片晶圆表面依次溅射第一电镀种子层Ti和第二电镀种子层Au；（2）通过匀胶、曝光、显影，形成VIA开窗图形，以便将需要电镀的部分裸露出来，不需要电镀的部分被光刻胶覆盖；（3）在VIA开窗处进行电镀，以便形成电镀金层；（4）在电镀金层的表面溅射Ti保护层；（5）通过金属剥离方法将光刻胶去除；（6）去除第二电镀种子层Au；（7）去除第一电镀种子层Ti和Ti保护层。本发明在保证良好的电镀金层外观的情形下，降低了制造电镀金层的成本，缩短了制造电镀金层的时间，同时还有效避免了蒸镀金属爬台断线的风险，增加了芯片的可靠性。 |
