背面散热的VCSEL芯片及其制备方法和应用
基本信息
| 申请号 | CN202110867426.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113314945A | 公开（公告）日 | 2021-08-27 |
| 申请公布号 | CN113314945A | 申请公布日 | 2021-08-27 |
| 分类号 | H01S5/024（2006.01）I;H01S5/183（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王光辉;王青;江蔼庭;吕朝晨;赵风春;钱旭 | 申请（专利权）人 | 华芯半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 赵丽婷 |
| 地址 | 100020北京市朝阳区佳汇国际中心B座1107 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了背面散热的VCSEL芯片及其制备方法和应用。该VCSEL芯片包括衬底和在所述衬底上逐层生长的N接触层、NDBR层、有源层、氧化层、PDBR层和P接触层，所述P接触层上形成有金属电极，其中，所述衬底上形成有散热孔，所述散热孔为开孔，所述散热孔的表面形成有金属层。该背面散热的VCSEL芯片不仅结构简单，而且散热效率高，可有效减缓热反转现象，提升VCSEL的外量子效率。 |
