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具有透镜结构的VCSEL芯片

基本信息

申请号 CN202022749667.5 申请日 -
公开（公告）号 CN214124315U 公开（公告）日 2021-09-03
申请公布号 CN214124315U 申请公布日 2021-09-03
分类号 H01S5/183（2006.01）I;H01S5/187（2006.01）I;H01S5/02253（2021.01）I;H01S5/02（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 赵风春;王青;张杨;李军;尧舜;单杰;王光辉 申请（专利权）人 华芯半导体科技有限公司
代理机构 北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 周慧云
地址 100020北京市朝阳区佳汇国际中心B座1107
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了具有透镜结构的VCSEL芯片，所述VCSEL芯片包括GaAs衬底；在所述GaAs衬底上依次生长的NDBR层、MQW层、氧化层、PDBR层和P接触层；设置在所述出光孔区域的所述P接触层上的P电极；设置在所述GaAs衬底靠近所述NDBR层的表面上的N电极；设置在所述VCSEL芯片的至少部分表面上的SIN钝化层；设置在所述出光孔区域的所述SIN钝化层的表面上的透镜。本实用新型不仅可以有效降低VCSEL芯片的发散角，同时还可以有效保护出光腔面，从而保证VCSEL芯片具有良好的外观。