减少VIA开窗刻蚀损伤的方法和VCSEL芯片
基本信息
| 申请号 | CN202110835474.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113285353A | 公开（公告）日 | 2021-08-20 |
| 申请公布号 | CN113285353A | 申请公布日 | 2021-08-20 |
| 分类号 | H01S5/183（2006.01）I;H01S5/042（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴敦文;江蔼庭;王青;赵风春;王健军 | 申请（专利权）人 | 华芯半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 赵丽婷 |
| 地址 | 100020北京市朝阳区佳汇国际中心B座1107 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种减少VIA开窗刻蚀损伤的方法和VCSEL芯片，方法包括（1）在VCSEL芯片发光区域的P接触层的至少部分表面沉积Ti层；（2）在Ti层的至少部分表面沉积SiN钝化层；（3）在除VIA开窗以外的区域的SiN钝化层的至少部分表面制备光刻胶；（4）采用干法刻蚀VIA开窗区域的SiN钝化层和Ti层，以便得到VIA开窗。在沉积SiN钝化层前先沉积一层金属Ti层，干法刻蚀对SiN钝化层的过刻量可以增加至5%~10%，确保VIA开窗内的SiN钝化层刻蚀干净，并且不用担心由SiN钝化层直接过刻至P接触层；即便VIA开窗区域残留少量的Ti，也不会影响到P接触层与P电极之间的欧姆接触电阻。 |
