一种新型Vcsel的外延结构及其对应氧化孔径的测试方法
基本信息
| 申请号 | CN202010868764.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112133643B | 公开（公告）日 | 2021-09-07 |
| 申请公布号 | CN112133643B | 申请公布日 | 2021-09-07 |
| 分类号 | H01L21/66;H01S5/183;H01S5/187 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 尧舜;杨默;戴伟;张颜儒;王青;李军;张杨 | 申请（专利权）人 | 华芯半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 肖阳 |
| 地址 | 100020 北京市朝阳区佳汇国际中心B座1107 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了测试垂直腔面发射激光器的氧化孔径的方法，通过传输矩阵法模拟/计算数据得到整个多层介质的透射系数和反射系数，从而得到模拟的外延结构，进行外延生长后再通过反射谱测试机得到生长后的外延层的白光反射图谱，进而调整得到氧化前后对比模拟/计算图，然后根据反射率差值较大的波段对应的波长，在观测台的下方设置滤光片或/和单色激光器，根据观测台上预先做的氧化标记处是否出现不同明暗度的成像，从而高效快速准确的判断氧化孔径是否达到所需尺寸。在N侧布拉格反射镜或P侧布拉格反射镜增加λ2/2光学厚度来提高白光反射谱的反射率差，从而更直观地观察到明暗度的成像，从而判断氧化孔径的尺寸。 |
