能够改善散热效能的快充MOSFET封装结构
基本信息
| 申请号 | CN201610817114.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106298703A | 公开（公告）日 | 2017-01-04 |
| 申请公布号 | CN106298703A | 申请公布日 | 2017-01-04 |
| 分类号 | H01L23/367(2006.01)I;H01L23/42(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 廖奇泊;徐维 | 申请（专利权）人 | 武汉晶亮电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海汉声知识产权代理有限公司 | 代理人 | 武汉晶亮电子科技有限公司 |
| 地址 | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城A5北区4栋7层701号工位3座 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种能够改善散热效能的快充MOSFET封装结构，包括功率器件、第一散热基板和第二散热基板；其中，所述功率器件设置在所述第一散热基板上；所述功率器件的集极连接所述第一散热基板；所述功率器件的源极连接所述第二散热基板。还包括托板；所述第一散热基板和第二散热基板设置在所述托板上。所述第一散热基板的面积大于第二散热基本的面积。本发明能够将功率器件初始产生的热及时排除，保持功率器件在低温环境运行，维持其固定阻抗及较高的电源转换效率。 |
