一种双频左右旋独立调控超表面设计方法
基本信息
| 申请号 | CN202011584294.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114696107A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114696107A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | H01Q15/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 冯一军;屈凯;陈克;胡琪;张娜;赵俊明 | 申请（专利权）人 | 南京大学 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 210023江苏省南京市汉口路22号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种用于人工电磁材料设计中的双频左右旋独立调控超表面设计方法。该设计方法将超表面设计中的几何相位、传播相位与优化算法相结合，可以快速准确地设计出工作在两个频段的左右旋解耦合的超表面单元，可以独立地控制双频左右旋四个通道的电磁波反射相位。超表面由三层可独立控制长度和旋转角的大小十字金属结构，三层介质层以及一层金属背板组成。同时，本发明首次将单元中的传播相位‑单元长度对应关系x极化与y极化独立描述，这种优化后的超表面单元能够实现高低频，左右旋的完全解耦合，从而有效地提升了无源超表面的调控自由度，进一步提高了信道容量，有助于设备的集成和小型化，在全息成像，波束调控等方面有广阔的应用前景。 |
