一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极
基本信息
| 申请号 | CN201920354917.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN209974874U | 公开（公告）日 | 2020-01-21 |
| 申请公布号 | CN209974874U | 申请公布日 | 2020-01-21 |
| 分类号 | C23C14/35 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 王志刚;张奇龙;王连之;李伟 | 申请（专利权）人 | 中核包头核燃料元件股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 014030 内蒙古自治区包头市青山区乌素图 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及磁控溅射阴极，公开了一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极，其核心部件为磁钢组和磁轭组成的磁路模块，磁钢组通过磁力与磁轭连接，磁路模块包括两个磁钢组，两个磁钢组内的磁钢数量相同且左右对称分布，每侧的磁钢组包括磁路互相闭合的两列磁钢且两列磁钢的磁场方向相互垂直。本实用新型提供的磁路结构使得磁场提供更多的与靶材平行的磁场分量，能够对靶面进行更大面积的刻蚀，提升了靶材利用率，避免频繁更换靶材，降低开真空室的次数，既可以保证生产的连续性，提高工作效率，也可以改善产品的洁净度；此外，通过水路进行降温，可以有效的避免靶材被熔化。 |
