一种含有场板的DMOS晶体管及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202210559949.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114664934A | 公开（公告）日 | 2022-06-24 |
| 申请公布号 | CN114664934A | 申请公布日 | 2022-06-24 |
| 分类号 | H01L29/40（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴李瑞;王彬;徐凯;程晨;张永生 | 申请（专利权）人 | 江苏游隼微电子有限公司 |
| 代理机构 | 南京瑞弘专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 211135江苏省南京市栖霞区麒麟科技创新园启迪大街188号二楼启迪之星南京众创空间G41 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种含有场板的DMOS晶体管及其制作方法，通过在栅电极和源区之间增加U型场板并通过淀积金属形成场板电极，起到了调节场板电极的电位，避免了在大电压下，载流子通过氧化层质量缺陷隧穿进入栅电极，导致栅源导通。同时U型场板结构还可以增加电场分布长度，起到减小峰值电场强度和分散器件的峰值电场的作用，进一步提高了DMOS器件的击穿电压和降低导通电阻。 |
