相变存储器及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202210572855.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114678468A | 公开（公告）日 | 2022-06-28 |
| 申请公布号 | CN114678468A | 申请公布日 | 2022-06-28 |
| 分类号 | H01L45/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 程晨;王彬;徐凯;吴李瑞;赵佳佳 | 申请（专利权）人 | 江苏游隼微电子有限公司 |
| 代理机构 | 南京瑞弘专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 211135江苏省南京市栖霞区麒麟科技创新园启迪大街188号二楼启迪之星南京众创空间G41 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种相变存储器及其制作方法，器件包括衬底、衬底表面设有沟槽结构，在衬底表面设有隧穿层，隧穿层表面设有俘获层，俘获层为相变材料纳米晶粒化结构，俘获层上形成阻挡层，阻挡层将相变材料纳米晶粒化结构包裹住并相互隔开，阻挡层表面设有半导体层，半导体层表面设有上电极，衬底背面设有下电极。本发明将相变材料纳米晶粒化和沟槽结构组合，实现了增加相变存储器的工作使用寿命和存储容量。 |
