一种碳化硅功率半导体器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210196047.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114335152B | 公开（公告）日 | 2022-05-24 |
| 申请公布号 | CN114335152B | 申请公布日 | 2022-05-24 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L21/266（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 程晨;王彬;徐凯;吴李瑞 | 申请（专利权）人 | 江苏游隼微电子有限公司 |
| 代理机构 | 南京瑞弘专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 225000 江苏省扬州市文昌东路88号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种碳化硅功率半导体器件及其制备方法，在保证现有技术中减小源极欧姆接触电阻，降低器件功率损耗的前提下，通过调整源区的布局和自对准注入方式，不采用刻蚀方式，保证了第一源区和第二源区显露出的表面平整，形成了良好的源极接触层，解决了各向异性刻蚀露出部分第一源区表面不平整导致源极接触层接触不良问题，同时也解决了在工艺特征尺寸越来越小的情况下出现过刻蚀到第一源区问题，减少了工艺带来的的误差，增加了器件可靠性性能。 |
