一种基于纳米晶颗粒的场效应晶体管存储器及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202210432730.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114551585A | 公开（公告）日 | 2022-05-27 |
| 申请公布号 | CN114551585A | 申请公布日 | 2022-05-27 |
| 分类号 | H01L29/423（2006.01）I;H01L29/49（2006.01）I;H01L29/51（2006.01）I;H01L29/792（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I;B82Y30/00（2011.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 程晨;王彬;徐凯;张永生;吴李瑞 | 申请（专利权）人 | 江苏游隼微电子有限公司 |
| 代理机构 | 南京瑞弘专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 211135江苏省南京市栖霞区麒麟科技创新园启迪大街188号二楼启迪之星南京众创空间G41 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发公开了一种基于纳米晶颗粒的场效应晶体管存储器及其制作方法，将氮化硅和石墨烯结合，通过在纳米晶颗粒上形成氮化硅和石墨烯，石墨烯作为栅极，纳米晶粒存储数据+氮化硅消除双光子吸收效应和自由载流子效应的影响+石墨烯超大的光吸收带宽这种组合可以有效提高器件对入射光的收集效率，增强光电转换效率，降低接触电阻，从而达到了在低操作电压的情况下，也能有很高的器件的存储密度和读取写入速度，同时该器件也可兼容标准CMOS工艺，大大提高了其应用范围。 |
