一种高强度氮化铝陶瓷基板及其制备方法
基本信息
申请号 | CN202110324726.0 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN113121244A | 公开(公告)日 | 2021-07-16 |
申请公布号 | CN113121244A | 申请公布日 | 2021-07-16 |
分类号 | C04B35/582(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/624(2006.01)I;C04B35/626(2006.01)I;C04B35/638(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I | 分类 | 水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料〔4〕; |
发明人 | 杨大胜;施纯锡;冯家伟 | 申请(专利权)人 | 福建华清电子材料科技有限公司 |
代理机构 | 泉州市诚得知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 赖开慧 |
地址 | 362200福建省泉州市晋江市经济开发区(五里园)灵石路2号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明涉及陶瓷材料技术领域,提供一种高强度氮化铝陶瓷基板及其制备方法,包括以下重量份的各原料:改性氮化铝粉体78‑85份、溶剂36‑42份、分散剂1.2‑2份、粘结剂8‑11份和增塑剂2‑4份;所述氮化铝陶瓷基板依次经过球磨、真空发泡、流延成型、等静压成型、排胶、一次烧结、二次烧结工序制得。制备的氮化铝陶瓷热导率在180W/(m·K)以上,抗弯强度在520MPa以上,解决了现有技术氮化铝陶瓷抗弯强度不高的问题。 |
