一种高热导率氮化硅陶瓷及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种高热导率氮化硅陶瓷及其制备方法

基本信息

申请号	CN201910763884.9	申请日	-
公开（公告）号	CN110483060B	公开（公告）日	2021-09-07
申请公布号	CN110483060B	申请公布日	2021-09-07
分类号	C04B35/584;C04B35/622;C04B35/64	分类	水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕;
发明人	杨大胜;施纯锡	申请（专利权）人	福建华清电子材料科技有限公司
代理机构	泉州市诚得知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	赖开慧
地址	362200 福建省泉州市晋江市五里工业园区
法律状态	-

摘要

本发明涉及陶瓷材料制备技术领域，提供一种高热导率氮化硅陶瓷及其制备方法，解决现有技术氮化硅陶瓷热导率不高的问题。所述氮化硅陶瓷包括：氮化硅60～90份、碳化硅8～12份、稀土氯化物3～5份、氟化镱0.2～1份、氮化锆0.5～2份、分散剂5～10份。本发明添加稀土氯化物在不额外引入氧的情况下，提高了氮化硅粉体的烧结活性，实现氮化硅陶瓷的致密化；氟化镱可以促进Si和N的扩散，且与氮化硅晶格内的氧杂质反应，从而有效地降低氮化硅晶格溶解氧含量，提高氮化硅热导率；氮化锆中的锆离子对氧具有很强的亲和力，可以吸收部分晶格内的氧杂质。稀土氯化物、氟化镱及氮化锆相互配合，还可以增加氮化硅晶粒的尺寸，排出氧杂质。