一种采用石墨炉烧结的氮化铝陶瓷基板的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110194661.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112898028A | 公开（公告）日 | 2021-06-04 |
| 申请公布号 | CN112898028A | 申请公布日 | 2021-06-04 |
| 分类号 | C04B35/581;C04B35/622;C04B35/64;B28B1/29;B28B3/00;B28B11/06;B28B17/00 | 分类 | 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕; |
| 发明人 | 杨大胜;施纯锡;冯家伟 | 申请（专利权）人 | 福建华清电子材料科技有限公司 |
| 代理机构 | 泉州市诚得知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 赖开慧 |
| 地址 | 362200 福建省泉州市晋江市经济开发区(五里园)灵石路2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及陶瓷基板的制备领域，提供一种采用石墨炉烧结的氮化铝陶瓷基板的制备方法，解决现有技术的氮化铝基板热导率低、表面不平整及生产效率不高的缺陷，包括以下制备步骤：1)准备原材料：以氮化铝粉体为主原料，以Y2O3、CaF2为烧结助剂；2)球磨；3)脱泡；4)流延；5)冲片：送入冲片机进行冲片分切；6)等静压：将分切后的坯体送入等静压机进行等静压处理，所述等静压的压力为10－14MPa，温度为80－90℃；7)电动敷粉；8)调解挡板位置；9)排胶；10)石墨炉烧结；11)研磨、激光、清洗处理。 |
