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一种超薄氮化铝陶瓷基片的生产工艺

基本信息

申请号 CN202110324719.0 申请日 -
公开（公告）号 CN112876260A 公开（公告）日 2021-06-01
申请公布号 CN112876260A 申请公布日 2021-06-01
分类号 C04B35/638（2006.01）I;C04B35/645（2006.01）I;C04B35/581（2006.01）I;C04B35/622（2006.01）I 分类 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕;
发明人 杨大胜;施纯锡;冯家伟 申请（专利权）人 福建华清电子材料科技有限公司
代理机构 泉州市诚得知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 赖开慧
地址 362200福建省泉州市晋江市经济开发区(五里园)灵石路2号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及氮化铝陶瓷技术领域，提供一种超薄氮化铝陶瓷基片的生产工艺，包括以下步骤：(1)将氮化铝粉体、复合烧结助剂、UV单体、活性稀释剂、光引发剂、分散剂、硅烷偶联剂混合均匀，得到陶瓷浆料；(2)所述陶瓷浆料在流延机上流延后，通过紫外照射引发聚合反应，浆料原位固化成型，得到陶瓷生坯，再将陶瓷生坯用模具切成需要的形状和尺寸，得到陶瓷坯片；(3)将陶瓷坯片进行叠层后放入排胶炉内进行排胶；(4)排胶后的陶瓷坯片在氮气气氛保护下进行热压烧结，烧结后冷却至室温，再进行除粉抛光工艺，即得到超薄氮化铝陶瓷基片。制备的氮化铝陶瓷基片厚度超薄、导热性好、抗弯强度高。