晶圆凸块下金属化的镀层制造工艺及其镀层结构
基本信息
| 申请号 | CN202010447839.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112382579B | 公开（公告）日 | 2022-02-15 |
| 申请公布号 | CN112382579B | 申请公布日 | 2022-02-15 |
| 分类号 | H01L21/60（2006.01）I;H01L23/488（2006.01）I;C23C18/48（2006.01）I;C23C28/02（2006.01）I;C25D5/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王江锋;洪学平;汪文珍 | 申请（专利权）人 | 深圳创智芯联科技股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518100广东省深圳市宝安区新安街道留仙二路中粮商务公园1栋14楼1403A | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种晶圆凸块下金属化的镀层制造工艺及其镀层结构，该工艺中的基材为硅或者碳化硅半导体；该基材表面上设置有导电线路区和非导电区，基材表面的导电线路区向下凹陷后形成一倒状的晶圆凸块。本发明该发明采用的化学镀锡合金工艺得到镀层为化学置换型镀层，不需要通电，也非传统的化学自催化反应，仅需要置换反应就可以进行。采用该发明的得到凸块下金属化（UBM）和再布线（RDL）既可以具有绑定性，也具有良好的焊接性。 |
