晶圆铜互连的高纯度硫酸铜的制备方法及其电镀铜工艺
基本信息
| 申请号 | CN202210221860.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114318436A | 公开（公告）日 | 2022-04-12 |
| 申请公布号 | CN114318436A | 申请公布日 | 2022-04-12 |
| 分类号 | C25D3/38（2006.01）I;C25D7/12（2006.01）I;C01G3/10（2006.01）I | 分类 | 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕; |
| 发明人 | 姚玉;王江锋 | 申请（专利权）人 | 深圳创智芯联科技股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518101广东省深圳市宝安区新安街道留仙二路中粮商务公园1栋14楼1403A | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种晶圆铜互连的高纯度硫酸铜的制备方法及其电镀铜工艺。该电镀铜工艺中电镀溶液包括以下质量浓度的组分：高纯度硫酸铜100‑200g/L；浓硫酸120‑150g/L；复合整平剂30‑90mg/L；复合润湿剂15‑45mg/L；络合剂0.5‑4g/L；加速剂0.1‑0.5g/L；光亮剂15‑75g/L；走位剂10‑40mg/L；去极化剂15‑45mg/L。使用该发明电镀铜溶液在晶圆上进行电镀，可以获得均匀性优异的铜柱，拱形率低于3%，且适用宽电流密度范围，电流密度范围为0.1‑75ASD。 |
