一种高抗浪涌电流能力的栅控二极管
基本信息
| 申请号 | CN202210441706.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114551576B | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114551576B | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 顾航;高巍;戴茂州 | 申请（专利权）人 | 成都蓉矽半导体有限公司 |
| 代理机构 | 成都点睛专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 610041四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天府大道中段1366号2栋9楼12-18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种高抗浪涌电流能力的栅控二极管，属于功率半导体器件技术领域。本发明的一种高抗浪涌电流能力的栅控二极管采用MOS的沟道进行单向电流导通。为了降低二极管的正向导通压降，本发明采用积累型沟道取代常规反型沟道。此外，为了提高器件的抗浪涌能力，我们为该栅控二极管集成了并联的PNP三极管，三极管的加入使得浪涌电流到来时三极管的基区能够被电导调制，降低了三极管基区的体电阻，进一步的，三极管的集电结反偏，将进一步放大由发射区进入基区的电流。 |
