一种集成栅控二极管的碳化硅MOSFET元胞版图结构
基本信息
| 申请号 | CN202210525778.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114628497A | 公开（公告）日 | 2022-06-14 |
| 申请公布号 | CN114628497A | 申请公布日 | 2022-06-14 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L27/02（2006.01）I;H01L27/07（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 顾航;高巍;戴茂州 | 申请（专利权）人 | 成都蓉矽半导体有限公司 |
| 代理机构 | 成都点睛专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 610041四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天府大道中段1366号2栋9楼12-18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种集成栅控二极管的碳化硅MOSFET元胞版图结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明采用分离栅设计，单片集成了栅控二极管；版图上将栅控二极管集成到了每一个MOSFET元胞内部，并且从图形上将栅控二极管与MOSFET的分离栅沟道设计为圆形，以解决分离栅边缘电场集中所带来的可靠性问题。为了获得更高的沟道密度，将MOSFET的外侧沟道从版图上设计成六边形。相对于传统单片集成中将主副器件分别单独布局的方法，本发明的优点在于均匀的将主器件MOSFET和集成器件栅控二极管布置到了整个有源区，使得两种器件都获得更大的有效散热面积，提高了各自的电流能力和鲁棒性。 |
