栅控二极管整流器
基本信息
| 申请号 | CN202111389575.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113823679A | 公开（公告）日 | 2021-12-21 |
| 申请公布号 | CN113823679A | 申请公布日 | 2021-12-21 |
| 分类号 | H01L29/739（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 廖天;高巍;顾航;戴茂州 | 申请（专利权）人 | 成都蓉矽半导体有限公司 |
| 代理机构 | 成都点睛专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 敖欢 |
| 地址 | 610041四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天府大道中段1366号2栋9楼12-18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种栅控二极管整流器，包括金属化阴极，重掺杂第一导电类型衬底层，第一导电类型漂移层，P型基区，N+源区和栅极结构；所述栅极结构为平面栅结构，包括栅氧化层，多晶硅层和金属化阳极，其中，栅氧化层覆盖于第一导电类型漂移层之上，其在横向上覆盖了MCR器件的沟道区与部分N+源区上表面，多晶硅层覆盖于栅氧化层之上，金属化阳极覆盖于多晶硅层与第一导电类型漂移层之上；金属化阳极与P型基区接触形成肖特基接触区，本发明通过阳极金属与P型基区的特殊接触，增加了PN结的导通压降，使得器件导通时工作在单极模式，降低了器件的反向恢复时间和电荷，减小了系统的开关损耗。 |
