高抗浪涌电流能力的集成栅控二极管的碳化硅MOSFET
基本信息
| 申请号 | CN202210441140.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114551601A | 公开（公告）日 | 2022-05-27 |
| 申请公布号 | CN114551601A | 申请公布日 | 2022-05-27 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 顾航;高巍;戴茂州 | 申请（专利权）人 | 成都蓉矽半导体有限公司 |
| 代理机构 | 成都点睛专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 610041四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天府大道中段1366号2栋9楼12-18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种高抗浪涌电流能力的集成栅控二极管的碳化硅MOSFET，属于功率半导体器件技术领域。随着碳化硅功率器件的耐压越来越高，漂移区也越来越厚，这使得PIN在进行双极导通过程中越来越多的少子在漂移区被复合形成复合电流，该复合电流将全部由栅控二极管的沟道承担，这将极大降低栅控二极管的栅氧化层可靠性。为了缓解这一问题，为栅控二极管集成了并联的PNP BJT，利用反偏的PN结降低了有效基区厚度，减少了少子在基区的复合，即减小了复合电流的产生，缓解浪涌状态中沟道区的电流密度，提高了器件整体的抗浪涌电流能力。 |
