一种TC-SAW之IDT铜工艺制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201810558981.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108768334B | 公开（公告）日 | 2022-06-28 |
| 申请公布号 | CN108768334B | 申请公布日 | 2022-06-28 |
| 分类号 | H03H3/02（2006.01）I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 邹福松;杨濬哲;尚荣耀;朱庆芳;谢祥政;蔡文必 | 申请（专利权）人 | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 361000福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种TC‑SAW之IDT铜工艺制造方法，其步骤为：于压电衬底上形成第一介质层，通过正性光刻胶曝光和干法蚀刻于第一介质层上形成IDT图形形貌，沉积IDT金属层，然后采用CMP工艺研磨IDT金属层形成相应的IDT金属结构，然后沉积第二介质层。本发明通过正性光刻胶配合干法刻蚀和CMP工艺，可以有效实现金属图形化和IDT金属形貌的控制，满足更小线宽IDT电极的要求，使得目标频率更易达成，且工艺简单，可控性强，极大的降低了成本。 |
