一种垂直腔面发射激光器结构
基本信息
| 申请号 | CN202122923021.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216750641U | 公开（公告）日 | 2022-06-14 |
| 申请公布号 | CN216750641U | 申请公布日 | 2022-06-14 |
| 分类号 | H01S5/183（2006.01）I;H01S5/125（2006.01）I;H01S5/343（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蔡文必;周广正;张建;刘超;阮鑫栋;许燕丽;林石林 | 申请（专利权）人 | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 361100福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种垂直腔面发射激光器结构，包括依次叠设的n型电极、GaAs衬底、n型DBR层、MQW层、p型DBR层和p型电极，p型电极为环状中间的镂空形成出光窗口，在MQW层与p型DBR层之间具有GaAs保护层和GaAs电流扩展层，GaAs保护层设于MQW层一侧，GaAs电流扩展层设于p型DBR层一侧，绝缘层设于GaAs电流扩展层下方，其为环状并包裹GaAs保护层和MQW层的侧面，绝缘层中间的镂空形成发光窗口，在保持垂直腔面发射激光器较低的阈值电流、较小的发散角同时，可以降低垂直腔面发射激光器的串联电阻，提高转换效率。 |
