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一种SiC衬底双面生长SiC外延层的方法及应用

基本信息

申请号	CN202010356535.8	申请日	-
公开（公告）号	CN112038213B	公开（公告）日	2022-06-14
申请公布号	CN112038213B	申请公布日	2022-06-14
分类号	H01L21/02（2006.01）I;H01L21/04（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	林云昊;蔡文必;毛张文;郑元宇;张恺玄	申请（专利权）人	厦门市三安集成电路有限公司
代理机构	厦门市首创君合专利事务所有限公司	代理人	-
地址	361000福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种SiC衬底双面生长SiC外延层的方法及其在制备SiC基的BJT或IGBT的外延片的应用应用，通过移除损伤层、反面蒸镀层的方式，解决SiC衬底或第一SiC外延层损伤导致难以进行高质量双面外延的问题，解决衬底反面蒸镀层或外延反面蒸镀层影响双面外延的问题；进而能够有效降低双面外延中的缺陷，获得高质量的双面SiC外延层。本发明中，通过保护层的设置，能够减少SiC衬底或第一SiC外延层的损伤厚度，配合移除损伤层的工艺，减少移除SiC衬底或第一SiC外延层的厚度，降低成本，提高生产效率。本发明能够在SiC衬底的正反两面生长分别具有不同掺杂浓度或掺杂类型的SiC外延结构，为新型的SiC器件开发提供制备方案，为SiC器件结构设计提供了更多的可能。