一种制作增强型氮化镓功率器件的方法
基本信息
| 申请号 | CN202010175224.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111653478B | 公开（公告）日 | 2022-06-28 |
| 申请公布号 | CN111653478B | 申请公布日 | 2022-06-28 |
| 分类号 | H01L21/335（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 梁玉玉;蔡文必;刘成;叶念慈;赵杰 | 申请（专利权）人 | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 361000福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种制作增强型氮化镓功率器件的方法，是在半导体基底的势垒层上形成一层层状纳米材料层，蚀刻层状纳米材料层于预设栅极位置形成第一窗口，沉积p型氮化物层，然后剥离所述层状纳米材料层，余下所述第一窗口之内的p型氮化物层形成p型栅极层。所述层状纳米材料层是六方氮化硼薄膜或类石墨烯二维纳米材料。本发明采用层状纳米材料层制作一种增强型氮化镓功率器件，避免因p型氮化物层蚀刻造成的势垒层界面损伤，提升器件电性特性。 |
